エッチング
エッチングとは、半導体製造の1プロセス
シリコンウエハに薬液やプラズマ、ガスなどを用いて化学反応を起こし溝を作る
薬液使用：ウェットエッチング
プラズマ、ガス：ドライエッチング
という。
エッチングの一例としてSiO(酸化膜)に対するCF4プラズマでのエッチングの場合
SiO2(s) + CF4(g) <=> SiFx(g) + CO2(g)
という化学反応が起こる。（sはsolid:個体、gはgas:気体を表す)
シリコンウエハ上のSiO2がSiFx, CO2という気体になるため、その２つの化学種となった分の原子の大きさだけ
シリコンウエハ上に穴が開き、それを積み重ねて溝を作ることをエッチングと呼ぶ。
エッチバック
通常のエッチングは、溝の山部分にフォトレジストという保護膜をつけ、エッチングする
エッチング後にフォトレジストを取り除くことにより、溝の谷と山が形成される
エッチバックでは、保護膜という概念は存在せず
ウエハ上のパターンすべてを均等に削っていく
オーバーエッチ
エッチングを行う際に、例としてSiO2、Siのパターンを想定する
酸化膜をすべてエッチングし、Si層に到達する際に、ウエハの中心部とエッジ部分では
多少エッチレート(ER)に差があるため、中心部のエッチング終了時には
まだエッジ部分は酸化膜が残った状態になっている。
その現象を避けるため、中心部のエッチング終了後数秒エッチングを継続する
これをオーバーエッチという。
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